半導体梁構造およびこの半導体梁構造を用いた半導体センサならびに半導体梁構造の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柳田征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-016508
公開番号（公開出願番号）：特開平9-211019
出願日： 1996年02月01日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】振動式加速度センサ等の振動体として用いるのに好適で、かつ簡易な製造方法によって精度よく作成することができる半導体梁構造を提供する。【解決手段】シリコン単結晶におけるミラー指数で示される結晶面で見て、1つの(100)面と2つの(111)面とによって囲まれたほぼ三角形の断面を有する半導体梁構造2であって、両端を支持端としてシリコン単結晶母材1に支持され、シリコン単結晶母材1からエッチングにより一体に削出される。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶母材から一体に削出され、かつシリコン単結晶におけるミラー指数で示される結晶面で見て、1つの(100)面もしくは(110)面と2つの(111)面とによって囲まれたほぼ三角形の断面を備えた三角柱が、その両端を支持端として上記シリコン単結晶母材に支持されてなることを特徴とする半導体梁構造。

IPC (2件)：

G01P 15/10 , H01L 29/84

FI (2件)：

G01P 15/10 , H01L 29/84 A

引用特許：

審査官引用 (15件)

半導体加速度センサ及びその製造方法、ならびに当該半導体加速度センサによる加速度検出方式
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-342592 出願人：オムロン株式会社
特開平3-236288
特開平3-023676

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