半導体ウェハのダイシング方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-222163
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067697
出願日： 1997年08月19日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】バンプを有するウェハをダイシングしてチップに分離する際に、チッピングの発生やバンプ剥がれを防止する一方で、チップの隣接間隔を大きくしてハンドリングを容易にし、かつ無効チップの除去可能とする。【解決手段】主面に素子及びバンプ2が形成されたウェハ1の裏面に第1テープ3を貼り付け、かつこれをフルカットダイシングして個々のチップ1A,1Bに分離した後、有効チップ1Aのみを第1テープ3の裏面から持ち上げるように第1テープ3を引き伸ばし、その上で持ち上げられた有効チップ1Aの主面に第2テープ9を貼り付け、かつ第1テープ3をチップの裏面から引き剥がす。第2テープ9をチップ主面に貼り付けた後に第1テープ3を剥がすと、有効チップ1Aのみが第2テープ9へ移り、チッピングXは第1テープ3に残存され、チッピングを除去できる。また、この第1テープ3の引き伸ばしによってチップ間の間隔が拡大され、角錐コレット等によるハンドリングを可能にし、信頼性の高いチップボンディングが可能となる。

請求項（抜粋）：

主面に素子及びバンプが形成された半導体ウェハの裏面に第1テープを貼り付ける工程と、前記半導体ウェハを前記主面側からフルカットダイシングして個々のチップに分離する工程と、分離されたチップのうち有効チップのみを前記第1テープの裏面から持ち上げるように前記第1テープを引き伸ばす工程と、前記第1テープの粘着力を低下させる工程と、第2テープを前記持ち上げられた有効チップの主面に貼り付ける工程と、前記第1テープを前記各チップの裏面から引き剥がす工程とを含むことを特徴とする半導体ウェハのダイシング方法

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭58-037932
特開昭63-286302
特開平4-030558

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