特許
J-GLOBAL ID：200903058437828672
SiO2絶縁膜の形成方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-255265
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102491
出願日： 1995年10月02日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：
【要約】【課題】 大電力や大型のガス導入系、真空排気系が不要で通常の周波数の高周波を使用して良好な絶縁特性のSiO2絶縁膜を高い成膜速度で形成する方法を提供する【解決手段】 真空槽1内に、有機シラン系ガスと、酸素、水、亜酸化窒素等の酸化性ガスのうちの少なくとも1種類との混合ガスに対して、更にアルゴン、ヘリウム、キセノンのうちの少なくとも1種類の不活性ガスを加えて導入し、該真空槽内に発生させた放電によるプラズマCVD法により該真空槽内に用意した基板7上にSiO2絶縁膜を形成する。該有機シラン系ガスは、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、シロキサン等の分子中にSi-O結合を有するガスのいずれかであり、該不活性ガスは、該酸化性ガスの流量の20〜300%とする。
請求項（抜粋）：
真空槽内に、有機シラン系ガスと、酸素、水、亜酸化窒素等の酸化性ガスのうちの少なくとも1種類との混合ガスに対して、更にアルゴン、ヘリウム、キセノンのうちの少なくとも1種類の不活性ガスを加えて導入し、該真空槽内に発生させた放電によるプラズマCVD法により該真空槽内に用意した基板上にSiO2絶縁膜を形成することを特徴とするSiO2絶縁膜の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316
, C23C 16/40
, C23C 16/50
, H01L 21/31
H01L 21/316 X
, C23C 16/40
, C23C 16/50
, H01L 21/31 C
