特許
J-GLOBAL ID：200903058440934866
シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-265058
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077925
出願日： 2001年08月31日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：
【要約】【課題】 従来よりも短時間かつ低温の熱処理でシリコンウェーハ内部でのBMD形成を行う。【解決手段】 シリコンウェーハを雰囲気ガス中で熱処理して内部に空孔を形成するシリコンウェーハの製造方法であって、予め窒素を添加したシリコンウェーハWに前記熱処理を施す。
請求項（抜粋）：
シリコンウェーハを窒化ガスを含む雰囲気ガス中で熱処理して内部に空孔を形成する工程を有するシリコンウェーハの製造方法であって、予め窒素を添加したシリコンウェーハに前記熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
引用特許：
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