特許
J-GLOBAL ID：200903075432900857
シリコン単結晶ウエーハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-229522
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043318
出願日： 2000年07月28日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：
【要約】【課題】 ウエーハ表層部には従来に比べて高品質のDZ層を有し、かつバルク部には十分な密度の酸素誘起欠陥を有するシリコン単結晶ウエーハを製造する方法を提供する。【解決手段】 格子間酸素を含有するシリコン単結晶ウエーハに熱処理を施すことにより酸素析出物を有するシリコン単結晶ウエーハを製造する方法において、前記熱処理は、少なくとも、抵抗加熱式の熱処理炉を用いて熱処理する工程と急速加熱・急速冷却装置を用いて熱処理する工程とを有することを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの製造方法及びこの方法で製造されたシリコン単結晶ウエーハ。
請求項（抜粋）：
格子間酸素を含有するシリコン単結晶ウエーハに熱処理を施すことにより酸素誘起欠陥を有するシリコン単結晶ウエーハを製造する方法において、前記熱処理は、少なくとも、抵抗加熱式の熱処理炉を用いて熱処理する工程と急速加熱・急速冷却装置を用いて熱処理する工程とを有することを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/322
, H01L 21/26
, H01L 21/324
H01L 21/322 Y
, H01L 21/324 X
, H01L 21/26 F
