特許

J-GLOBAL ID：200903089200498212

理想的な酸素析出シリコンウエハおよびそれのための酸素外方拡散の無い方法

発明者： ファルステル,ロベルト ,  コルナラ,マルコ ,  ガンバロ,ダニエラ ,  オルモ,マッシミリアーノ
出願人/特許権者： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-537814
公開番号（公開出願番号）：特表2001-509319
出願日： 1998年02月25日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】後の熱処理工程においてウエハ中の酸素析出挙動に影響を与える単結晶シリコンウエハ(1)の熱処理方法。ウエハは、前表面(3)、裏面(5)、および前表面と裏面との間の中央面(7)を有する。この方法では、ウエハを熱処理(S2)に付して、結晶空格子点(13)を形成し、空格子点はシリコンのバルク中に形成される。次いで、結晶空格子点の全てではないがいくつかが前表面に拡散するような速度でウエハを加熱処理温度から冷却して、ピーク密度が中央面上またはその近傍にあり、濃度がウエハの前表面の方向に一般に減少している空格子点濃度分布を有するウエハを製造する。

請求項（抜粋）：

一方はウエハの前表面であり、他方はウエハの裏面である一般的に平行な2つの主表面、前表面と裏面の間の中央面、前表面と裏面とをつなぐ周縁部、前表面と、前表面から中央面に向かって測定して少なくとも約10μmの距離D1との間にあるウエハの領域を含んでなる表面層、および中央面と第1領域との間にあるウエハの第2領域を含んでなるバルク層を有する単結晶シリコンウエハであって、 ウエハは、バルク層中の空格子点濃度が表面層中の空格子点濃度よりも高く、空格子点が空格子点ピーク密度は中央面上またはその近傍にある濃度分布を有し、該濃度が一般にピーク密度位置からウエハの前表面の方向に減少するという結晶空格子点の非均一分布を有していることを特徴とする単結晶シリコンウエハ。

IPC (2件)：

H01L 21/322 ,  C30B 29/06

FI (2件)：

H01L 21/322 Y ,  C30B 29/06 A

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開平2-032535
  
• 特開平4-294540
  
• シリコン基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-353706   出願人：日本電気株式会社
• 特開平3-185831
  
• 特開平1-242500
  
• シリコン半導体基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-155442   出願人：住友金属工業株式会社