特許
J-GLOBAL ID：200903058451281724

半導体装置用リ-ドフレ-ムの製造方法

発明者：
佐藤 隆博

佐藤 隆博 について


出願人/特許権者：
株式会社三井ハイテック

株式会社三井ハイテック について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-207176
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040722
出願日： 1997年07月15日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 樹脂との密着性がすぐれ樹脂膨れや剥れを生ぜず、また半田付け性、ボンディング性、耐食性ともすぐれた半導体装置用リードフレームを製造する。【解決手段】 パッド1の周りにインナーリード2これに連なるアウターリード3を形成し、めっきを行うリードフレームの製造方法において、リードフレーム6に直接又は下地めっきしてPdをめっきし、表層にAuめっき又はAgめっきを行い、その後、前記パッド1を加熱し前記めっきしたPdを表層のAuめっき又はAgめっき内に拡散させAuとPdの混合相、又はAgとPdの混合相を形成する。また、前記パッド1の加熱をパッドのディプレスの際に行うリードフレームの製造方法。
請求項（抜粋）：
パッドの周りにインナーリードと該インナーリードに連なるアウターリードを形成し、めっきを行うリードフレームの製造方法において、前記リードフレームに直接又は下地めっきしてPd又はPd合金をめっきし、表層にAuめっき又はAgめっきを行い、その後、前記パッドを加熱し前記めっきしたPd又はPd合金を表層のAuめっき又はAgめっき内に拡散させAuとPdの混合相、又はAgとPdの混合相を形成することを特徴とする半導体装置用リードフレームの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 23/50 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/60 301
FI (3件)：
H01L 23/50 D ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/60 301 M
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開平4-115558
  • ICパッケージ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-163271   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション
  • 半導体チップ実装用リードフレーム
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-294564   出願人：古河電気工業株式会社

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