特許
J-GLOBAL ID：200903058479711783

電子放出素子及びそれを用いた電子素子

発明者：
西林 良樹

西林 良樹 について

, 
今井 貴浩

今井 貴浩 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-341090
公開番号（公開出願番号）：特開2005-108655
出願日： 2003年09月30日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】 電子を放出するためにアノードとの間に印加する電圧を低くすることができる電子放出素子及びそれを用いた電子素子を提供する。【解決手段】 電子放出素子1では、例えばシリコンに比べn型ダイヤモンドの仕事関数は小さいため、n型ダイヤモンド層3の表面3aにおける電子親和力は小さくなっている。これにより、ゲート電極4にn型ダイヤモンド層3より高い電位が与えられると、n型ダイヤモンド層3の伝導帯下端のエネルギー準位に存在する電子が表面3aに容易に達する。このとき、アノードにゲート電極4より高い電位が与えられていると、表面3aに達した電子は、電子通過開口6を通ってアノードに向かって進行することになる。従って、電子放出素子1によれば、電子を放出するためにアノードとの間に印加する電圧を低くすることが可能になる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
略真空中においてアノードとの間に電圧が印加されることにより電子を放出する電子放出素子であって n型ダイヤモンド層と、 前記n型ダイヤモンド層の表面に対して前記電子の放出側に配置され、電子通過開口が形成されたゲート電極とを備えることを特徴とする電子放出素子。
IPC (1件)：
H01J1/304
FI (1件)：
H01J1/30 F
Fターム (11件)：
5C135AA09 ,  5C135AB06 ,  5C135AC03 ,  5C135AC07 ,  5C135AC09 ,  5C135AC15 ,  5C135AC22 ,  5C135AC29 ,  5C135GG03 ,  5C135GG08 ,  5C135HH06
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 電子放出素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-085092   出願人：財団法人ファインセラミックスセンター, 住友電気工業株式会社, 松下電器産業株式会社
審査官引用 (8件)
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