半導体発光装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-315496
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124734
出願日： 2000年10月16日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】発光効率を高く、非点隔差が小さい波長の異なる複数のレーザ素子を備えた半導体発光装置を提供する。【解決手段】ダブルヘテロ型の複数のレーザ素子を1チップ上に集積した半導体装置において、各レーザ素子は、n型単GaAs基板上に、n型第1クラッド層、活性層、p型第2クラッド層および、ストライプ状の開口部を有する電流ブロック層と該開口部を埋めるp型第3クラッド層とを含む積層構造を持ち、上記電流ブロック層として、共通する材料であって、いずれのレーザ素子から発生するレーザ光のエネルギーより広いバンドギャップを持ち、いずれのp型第3クラッド層より低い屈折率を有する材料を使用することにより、各レーザ素子に実屈折率ガイド構造を形成する。

請求項（抜粋）：

単一半導体基板と、前記単一半導体基板上に形成された複数のダブルヘテロ型レーザ素子とを有し、各前記レーザ素子は、順に積層された第1導電型第1クラッド層、活性層、第2導電型第2クラッド層と、前記第2導電型第2クラッド層上に形成され、ストライプ状の開口部を有する電流ブロック層と、前記開口部を埋める第2導電型第3クラッド層とを有し、各前記レーザ素子の前記電流ブロック層は、共通する材料で形成されており、どの前記レーザ素子から発生するレーザ光のエネルギーより広いバンドギャップを持ち、かつ前記第2導電型第3クラッド層より低い屈折率を持つ層を有する半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01S 5/22 610 , H01S 5/323

FI (2件)：

H01S 5/22 610 , H01S 5/323

Fターム (12件)：

5F073AA12 , 5F073AA53 , 5F073AB04 , 5F073BA06 , 5F073CA14 , 5F073CB02 , 5F073DA05 , 5F073DA21 , 5F073EA04 , 5F073EA05 , 5F073EA18 , 5F073EA22

引用特許：

審査官引用 (7件)

多波長集積化半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-043669 出願人：株式会社東芝
特開昭63-228791
特開平1-204487

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