特許

J-GLOBAL ID：200903058514148094

シリコン単結晶薄膜の製造方法

発明者： 羽深 等
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-045722
公開番号（公開出願番号）：特開平9-235194
出願日： 1996年03月04日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】 安定して平滑なシリコン単結晶薄膜の表面を得ることができるようにしたシリコン単結晶薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 塩化珪素原料を水素(H2)ガス中に混合して半導体単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる方法において、該シリコン単結晶薄膜の成長速度が、その成長温度における最高成長速度の80%以上である。

請求項（抜粋）：

塩化珪素原料を水素(H2)ガス中に混合して半導体単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる方法において、該シリコン単結晶薄膜の成長速度が、その成長温度における最高成長速度の80%以上であることを特徴とするシリコン単結晶薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 504 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B 29/06 504 A ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/205

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平1-246822
  
• 単結晶シリコン膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-162196   出願人：三菱マテリアル株式会社

審査官引用 (2件)

• 特開平1-246822
  
• 単結晶シリコン膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-162196   出願人：三菱マテリアル株式会社