高周波半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-106799
公開番号（公開出願番号）：特開平11-003916
出願日： 1998年04月16日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：

【要約】【課題】低ソースインダクタンス、低寄生容量、及び高放熱特性などの優れた動作特性を有し、良好な歩留まりで製造できる高周波半導体装置を提供する。【解決手段】高周波半導体装置が、実質的に平坦な主面を有し、少なくとも入力配線と出力配線とグラウンド電極とを含む所定の回路パターンが該主面の上に設けられている基板と、ドレイン電極、ソース電極、及びゲート電極を有し、該基板にフリップチップ実装によって実装されているトランジスタと、を備えており、該フリップチップ実装では、該ソース電極と該グラウンド電極とが第1のバンプによって接続されている。

請求項（抜粋）：

実質的に平坦な主面を有し、少なくとも入力配線と出力配線とグラウンド電極とを含む所定の回路パターンが該主面の上に設けられている、基板と、ドレイン電極、ソース電極、及びゲート電極を有し、該基板にフリップチップ実装によって実装されているトランジスタと、を備えており、該フリップチップ実装では、該ソース電極と該グラウンド電極とが第1のバンプによって接続されている、高周波半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S , H01L 29/80 G , H01L 29/80 L

引用特許：

審査官引用 (12件)

特公昭59-007224
特公昭59-007224
電界効果トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-287566 出願人：株式会社ジャパンエナジー

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