特許
J-GLOBAL ID：200903058585332104
半導体素子用インサイチュ洗浄装置及びこれを利用した半導体素子の洗浄方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-050436
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270405
出願日： 1998年03月03日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子用インサイチュ洗浄装置及びそれを利用した洗浄方法を提供する。【解決手段】 窒素ガス貯蔵槽6、無水フルオル化水素貯蔵槽7、アルコール蒸気及び/または水蒸気貯蔵槽8、及び各貯蔵槽6、7及び8から供給されるガスを混合するガス混合器9を含む乾式洗浄手段と、無水及び/または液状フルオル化物を貯蔵する第1貯蔵槽1、液状アルコールを貯蔵する第2貯蔵槽2、及び第1及び第2貯蔵槽1及び2から各々溶液を供給され、これを混合して貯蔵する洗浄液貯蔵槽3を含む湿式洗浄手段と、乾式洗浄手段のガス混合器9と湿式洗浄手段の洗浄液貯蔵槽3との間に位置し、ガス供給ライン及び洗浄液供給ラインにより各々ガス混合器9及び洗浄液貯蔵槽3と連結する共通洗浄槽5とを含む。これにより、半導体素子が大気中に放置されることがなく、直ちに湿式洗浄になるため自然酸化膜の発生のような二次汚染問題からも逃れることができる。
請求項（抜粋）：
窒素ガス貯蔵槽、無水フルオル化水素貯蔵槽、アルコール蒸気及び/または水蒸気貯蔵槽、及び前記各貯蔵槽から供給されるガスを混合するガス混合器を含む乾式洗浄手段と、無水及び/または液状フルオル化物を貯蔵する第1貯蔵槽、液状アルコールを貯蔵する第2貯蔵槽、及び前記第1及び第2貯蔵槽から各々溶液を供給され、これを混合して貯蔵する洗浄液貯蔵槽を含む湿式洗浄手段と、前記乾式洗浄手段のガス混合器と前記湿式洗浄手段の洗浄液貯蔵槽との間に位置し、ガス供給ライン及び洗浄液供給ラインにより各々前記ガス混合器及び洗浄液貯蔵槽と連結する共通洗浄槽と、を備えることを特徴とする半導体素子用インサイチュ洗浄装置。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
H01L 21/304 341 M
, H01L 21/304 341 D
