特許
J-GLOBAL ID：200903058589958539
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 敬一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-104174
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314845
出願日： 1993年04月30日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：
【要約】【目的】 エッチングストッパ層による光吸収作用を抑制できる半導体レーザ装置を単純な選択エッチング工程を通じて製造する。【構成】 半導体レーザ装置(21)では、活性層(5)と、活性層(5)とは異なる化合物半導体から成る第1の導電型のクラッド層(6)と、活性層(5)と実質的に同じ化合物半導体から成るエッチングストッパ層(22)と、第2の導電型の電流ブロック層(8)とを順次積層形成し、電流ブロック層(8)内に尾根状の導波層(10)を配する。厚い層で形成できるエッチングストッパ層(22)に伸張歪を与え、活性層(5)から放出された光に対するエッチングストッパ層(22)の光吸収作用を抑制する。
請求項（抜粋）：
活性層と、該活性層とは異なる化合物半導体から成る第1の導電型のクラッド層と、前記活性層と同種の金属系の化合物半導体から成るエッチングストッパ層と、第2の導電型の電流ブロック層とを順次積層形成し、前記電流ブロック層内に尾根状導波層を配した半導体レーザ装置において、前記エッチングストッパ層及び前記活性層の少なくとも一方に対して歪が付与され、前記エッチングストッパ層のエネルギーギャップは前記活性層のエネルギーギャップよりも大きいことを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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