特許

J-GLOBAL ID：200903058595956815

ICチップ用のクラック・ストップおよびそれを形成するための方法(低K誘電体用のクラック・ストップ)

発明者： ドーベンスペック、ティモシー、エイチ ,  ガンビーノ、ジェフリー、ピー ,  リュス、スティーヴン、イー ,  マクデヴィット、トーマス、ジェイ ,  モシーフ、ウィリアム、ティー ,  プーリオ、マーク、ジェイ ,  ロビンス、ジェニファー、シー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (4件)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史 ,  太佐 種一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-522010
公開番号（公開出願番号）：特表2007-500944
出願日： 2004年07月28日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：

【課題】 ICチップ上に形成された集積回路(IC)の低K誘電材料用のクラック・ストップ(28)を提供することにある。【解決手段】 ダイシング操作中にICチップの周辺エッジに沿って形成されたチッピングおよびクラッキングによって引き起こされたICチップのアクティブ・エリアに対する損傷を防止するために、低K誘電体材料において銅または銀の相互接続などの自己パッシベーション酸化物層を形成しない金属相互接続を使用する。吸湿バリアまたはエッジ・シール(12)は、ICチップのアクティブ・エリアの外周エッジに沿って位置決めされた金属スタックとして形成される。クラック・ストップは、ICチップの外周上の吸湿バリア/エッジ・シールの外側に位置決めされた少なくとも1つのトレンチまたは溝によって形成される。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

アクティブ回路エリアを有する集積回路(IC)チップ用のクラック・ストップにおいて、 低K誘電体材料において自己パッシベーション酸化物層を形成しない金属相互接続を含む前記ICチップと、 前記ICチップの前記アクティブ回路エリアの外周エッジに沿って位置決めされた吸湿バリア/エッジ・シールと、 前記ICチップ上で実行されたダイシング操作中に前記ICチップの周辺エッジに沿って形成されたチッピングおよびクラッキングによって引き起こされた前記ICチップの前記アクティブ回路エリアに対する損傷を防止するために、前記ICチップの前記外周上の前記吸湿バリア/エッジ・シールの外側に少なくとも1つのトレンチまたはボイド領域によって形成されたクラック・ストップと、 を有する、ICチップ用のクラック・ストップ。

IPC (2件)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52

FI (1件)：

H01L21/88 Z

Fターム (8件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH14 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ14 ,  5F033KK01 ,  5F033VV00 ,  5F033XX17

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-192723   出願人：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-234387   出願人：株式会社ルネサステクノロジ