特許
J-GLOBAL ID：200903058606308373
ITO合金物品の製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松井 光夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-509856
公開番号（公開出願番号）：特表平11-511510
出願日： 1996年08月29日
公開日（公表日）： 1999年10月05日
要約：
【要約】本発明は、少ない割合のSn粉末及び多い割合のIn2O3粉末により開始し、かつプロセス制御剤の存在下に異なる粉末を混合しかつ粉砕することによりIn2O3粉末の表面にSn粉末を実質的に均一に分布させかつ固定して合金粉末を形成する段階、及びその合金粉末を高温で固めて物品を形成する段階を含むポアのない粉末冶金合金物品を製造する方法に関する。該物品は良好な電気伝導率を有し、かつプラズマスパッタリングITO組成物のためのターゲットとして使用し得る。
請求項（抜粋）：
より少ない割合のSn粉末及びより多い割合のIn2O3粉末により開始し、かつ -プロセス制御剤の存在下に異なる粉末を混合しかつ粉砕することによりIn2O3粉末の表面にSn粉末を実質的に均一に分布させかつ固定して合金粉末を形成する段階、及び -その合金粉末を高温で固めて物品を形成する段階を含むポアのない粉末冶金合金物品を製造する方法。
IPC (6件)：
B22F 1/02
, B22F 5/12
, B22F 9/04
, C22C 29/12
, C23C 14/08
, C23C 14/34
B22F 1/02 A
, B22F 9/04 C
, C22C 29/12 Z
, C23C 14/08 D
, C23C 14/34 A
, B22F 5/00 B
