特許
J-GLOBAL ID：200903058621695316

炭化珪素質ダミーウェハ

発明者：
野上 暁

野上 暁 について


出願人/特許権者：
東洋炭素株式会社

東洋炭素株式会社 について


代理人 (1件)： 梶 良之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-224412
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050570
出願日： 1996年08月06日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 加工後の反りを無くすことにより、製品SiCダミーウェハの円滑な自動搬送を確保すると共に、製品の歩留りを向上させ、さらに従来、反りを矯正するために必要とされていた余分な切削加工を主とする作業工程を不要として生産性の向上及び製作コストの低減化に貢献し得るSiCダミーウェハを提供する。【解決手段】 半導体プロセスにおいて使用されるSiCダミーウェハにおいて、CVR法(Chemical Vapor Reaction)によりSiC化された基体の表面にCVD法(Chemical Vapor Deposition)によるSiC膜を形成した。
請求項（抜粋）：
半導体プロセスにおいて使用されるSiCダミーウェハにおいて、CVR(Chemical Vapor Reaction)法によりSiC化された基体の表面にCVD(Chemical Vapor Deposition)法によるSiC膜が形成されてなることを特徴とする炭化珪素質ダミーウェハ。
IPC (2件)：
H01L 21/02 ,  H01L 21/22
FI (2件)：
H01L 21/02 B ,  H01L 21/22 Y
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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