特許
J-GLOBAL ID：200903058625928870

半導体発光素子

発明者：
丸田 秀昭

丸田 秀昭 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (2件)： 岡田 賢治 ,  今下 勝博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-002377
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197473
出願日： 2004年01月07日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：
【課題】 III族窒化物系化合物半導体を始め発光素子を形成する材料の屈折率は、空気に比較してかなり高いため、従来の半導体発光素子では、その構造上、活性層で発光した光が空気中に出射するには、半導体層から空気中への入射角が臨界角以下でなければならず、入射角が臨界角を超えると空気中に出射できなくなり、全反射する。【解決手段】 上記課題を解決するために、本発明は、基板と、該基板上に、少なくとも、第1半導体層と、活性層と、第2半導体層と、を順に備える半導体発光素子であって、該第2半導体層は該第1半導体層と異なった極性を持ち、かつ該第2半導体層の側の露出した上面の面積に対して、該活性層の露出している側面の該第1半導体層、該活性層および該第2半導体層の面積の合計が5%以上である半導体発光素子である。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に、少なくとも、第1半導体層と、活性層と、第2半導体層と、を順に備える半導体発光素子であって、該第2半導体層は該第1半導体層と異なった極性を持ち、かつ該第2半導体層の側の露出した上面の面積に対して、該活性層の露出している側面の該第1半導体層、該活性層および該第2半導体層の面積の合計が5%以上である半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (11件)：
5F041AA03 ,  5F041AA14 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA14 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA74 ,  5F041CA93 ,  5F041CB11 ,  5F041CB36
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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