特許

J-GLOBAL ID：200903058644943350

半導体記憶装置

発明者： 作井 康司 ,  竹内 健 ,  大内 和則 ,  舛岡 富士雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-206182
公開番号（公開出願番号）：特開平8-069696
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】 ページリードとランダムリードを可能とし、特に円滑なページリードと高速な書き込みを可能とした半導体記憶装置を提供すること。【構成】 互いに直交する複数本ずつのワード線WLとビット線BLとが配設され、これらワード線WLとビット線BLとの各交差部に書き替え可能なメモリセルMが配置されたアレイを2つのサブアレイl,rに分割した半導体記憶装置において、読み出し動作では、アレイ分割されたワード線WLを1本ずつ順次選択し、書き込み動作では、アレイ分割されたワード線WLの2本を同時に選択することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

互いに交差する複数本ずつのワード線とビット線が配設され、これらワード線とビット線の各交差部に書き替え可能なメモリセルが配置されたアレイを複数のサブアレイに分割した半導体記憶装置において、読み出し動作と書き込み動作とで、選択されるワード線の本数を異ならせたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

G11C 17/00 309 J ,  G11C 17/00 309 Z ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-229497
  
• 特開平4-258890
  
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-157831   出願人：株式会社東芝