特許
J-GLOBAL ID：200903058648087822
有機EL素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金山 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-290550
公開番号（公開出願番号）：特開2004-127726
出願日： 2002年10月03日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】従来のフォトリソグラフィー法におけるパターンの精度が優れている点を維持しつつも、フォトレジストを使用してエッチング液によりエッチングする際に生じ得る種々の懸念を極力解消し得る、新たな有機EL素子の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】基板1上に電極等を介し、バッファー層2A、有機蛍光体層3A等の発光層4Aを積層する発光層積層工程、発光層4Aをマスク5Aを介しドライエッチングしてパターン状の発光層4A’を得るドライエッチング工程とにより、課題を解決することができた。発光層4A’上に保護層を形成し、さらに、各工程を繰り返してもよい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一対の電極間に、一方の電極から注入された電子と他方の電極から注入された正孔が再結合することにより発光し得る有機蛍光体を含む層からなる発光層が少なくとも積層された積層構造を有する有機EL素子を製造するに際して、前記のいずれかの電極上に前記発光層を一面に積層する発光層積層工程、および、積層後の前記発光層を所定の開孔部を有するマスクを介してドライエッチングして、前記発光層の前記マスクの非開孔部に相当する部分を残留させると共に、それ以外の部分を除去するドライエッチング工程とを、順次行なうことを特徴とする有機EL素子の製造方法。
IPC (4件)：
H05B33/10
, H01L21/3065
, H05B33/12
, H05B33/14
H05B33/10
, H05B33/12 B
, H05B33/14 A
, H01L21/302 105A
3K007AB11
, 3K007AB18
, 3K007DB03
, 3K007FA01
, 5F004AA04
, 5F004AA09
, 5F004AA16
, 5F004DA26
, 5F004DB00
, 5F004EA03
