特許
J-GLOBAL ID：200903058665964195

半導体装置のキャパシタ及びその製造方法

発明者：
李 秉 澤

李 秉 澤 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-189645
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124426
出願日： 1999年07月02日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置のキャパシタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置のキャパシタの高誘電体膜を採用する時に、拡散防止膜の酸化を防止することによりコンタクト抵抗の増加を抑制する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成され、その内部に第1コンタクトホールを有する第1層間絶縁膜パターンと、前記第1コンタクトホールに埋め立てられて前記半導体基板と電気的に連結されたコンタクトプラグと、前記コンタクトプラグ上に形成された拡散防止膜パターンと、前記拡散防止膜パターン上に前記拡散防止膜パターンの酸化を防止するための第1導電膜パターンと、前記第1層間絶縁膜パターン及び前記第1導電膜パターン上に前記第1導電膜パターンの表面を露出する第2コンタクトホールを有する第2層間絶縁膜パターンと、前記第2コンタクトホールに埋め立てられて前記第1導電膜パターンと連結されるように形成されたキャパシタの下部電極用第2導電膜パターンと、前記第2導電膜パターンを取り囲むように順次に形成された高誘電体膜及びキャパシタの上部電極用第3導電膜パターンとを含んで成ることを特徴とする半導体装置のキャパシタ。
IPC (7件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/43
FI (6件)：
H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/90 B ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/46 Z
引用特許：
審査官引用 (4件)
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