特許
J-GLOBAL ID：200903058666719828
多層配線基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三澤 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-291743
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064203
出願日： 2003年08月11日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】 微細な多層配線基板を製造することが可能な方法を提供するものである。【解決手段】 図1(a)に示すように、多層金属板100を用意し、図1(b)に示すように、バンプ形成用金属層103aをエッチングすることによりバンプ104aを形成する。そして、図1(c)に示すように、バンプ104aが形成された面に絶縁膜106を形成する。次に、図1(d)に示すように、バンプ形成用金属層103bをエッチングすることによりバンプ104bを形成する。図1(e)に示すように、バンプ104bが形成された面にレジストマスク107を形成し、それをマスクとして配線形成用金属層101をエッチングして、図1(f)に示すように、配線108を形成する。そして、図1(g)に示すように、バンプ104bが形成された面に絶縁膜106を形成し、多層配線基板120を作製する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
配線形成用金属層の上下両面にエッチングストッパー層を介してバンプ形成用金属層が形成された多層金属板に対して、
前記上下両面に形成されたバンプ形成用金属層のうち一方のバンプ形成用金属層の上にレジストを塗付し、パターニングすることによりレジストマスクを形成し、該レジストマスクをマスクとして前記一方のバンプ形成用金属層をエッチングすることにより、バンプを形成する第1のバンプ形成ステップと、
前記バンプが形成された面に絶縁材料を塗付し、熱処理することにより絶縁膜を形成する第1の絶縁膜形成ステップと、
前記上下両面に形成されたバンプ形成用金属層のうち他方のバンプ形成用金属層の上にレジストを塗付し、パターニングすることによりレジストマスクを形成し、該レジストマスクをマスクとして前記他方のバンプ形成用金属層をエッチングすることにより、別のバンプを形成する第2のバンプ形成ステップと、
前記別のバンプが形成された面に、レジストを塗付し、パターニングすることにより少なくとも前記別のバンプの上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクをマスクとして配線形成用金属層をエッチングすることにより配線を形成する配線形成ステップと、
前記レジストマスクを除去した後に、前記別のバンプが形成された面に絶縁材料を塗付し、熱処理することにより絶縁膜を形成する第2の絶縁膜形成ステップと、
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H05K3/46 N
, H05K3/46 G
, H05K3/06 A
5E339AB02
, 5E339AC01
, 5E339BC02
, 5E339BD06
, 5E339BE13
, 5E339CE01
, 5E346AA05
, 5E346AA06
, 5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA22
, 5E346AA43
, 5E346AA51
, 5E346BB16
, 5E346CC08
, 5E346CC32
, 5E346CC52
, 5E346DD03
, 5E346DD12
, 5E346DD32
, 5E346EE06
, 5E346EE07
, 5E346EE09
, 5E346EE13
, 5E346EE18
, 5E346FF24
, 5E346GG22
, 5E346GG28
, 5E346HH26
