特許
J-GLOBAL ID：200903058668832109
二重イオン源をもつ処理システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹内 澄夫 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-549074
公開番号（公開出願番号）：特表2002-515541
出願日： 1999年05月07日
公開日（公表日）： 2002年05月28日
要約：
【要約】【解決手段】基板処理システムが,処理チェンバー(10),チェンバー内に配置される基板ホルダー(12),処理ガスをチェンバーに供給するためのガス源(54),チェンバー内に位置する第一および第二のイオン源(20,22),ならびに第一および第二のイオン源を付勢するパワー源を含む。各イオン源は基板ホルダー上に配置された基板を処理するための,イオンを形成する処理ガスをイオン化する。第一および第二のイオン源は第一および第二の陽極(30,40)をそれぞれ含む。パワー源は,第一および第二の陽極を時間多重化法で付勢し,これにより第一または第二のイオン源の一つのみが常に付勢され,イオン源の間の相互作用が除去される。
請求項（抜粋）：
基板処理システムであって, 処理チェンバーと, 該処理チェンバー内に設置された基板ホルダーと, 処理ガスを前記処理チェンバーに供給するための,前記処理チェンバーに連結されたガス源と, 前記基板ホルダーに配置された基板を処理するためのイオンを形成するために,前記処理ガスをイオン化するための前記チェンバー内にある第一のイオン源であって,第一の陽極および第一の電子源を含むところの第一のイオン源と, 基板を処理するためのイオンを形成するために,前記処理ガスをイオン化するための,前記チェンバー内にある第二のイオン源であって,第二の陽極および第二の電子源からなるところの第二のイオン源と, 前記第一および第二のイオン源の一方のみが,常に付勢されるように,時間多重化法で,前記第一の陽極および前記第二の陽極を付勢するパワー源と,を含む基板処理システム。
IPC (4件)：
C23C 16/44
, G11B 5/84
, H05H 1/46
, B05C 21/00
C23C 16/44 A
, G11B 5/84 B
, H05H 1/46 R
, B05C 21/00
4F042AA07
, 4F042AA08
, 4F042BA21
, 4F042DE01
, 4F042ED03
, 4F042ED08
, 4K030AA06
, 4K030AA09
, 4K030AA10
, 4K030AA13
, 4K030BA28
, 4K030BA40
, 4K030CA02
, 4K030CA06
, 4K030CA07
, 4K030FA12
, 4K030JA17
, 4K030JA18
, 4K030KA20
, 4K030KA30
, 4K030LA20
, 5D112AA07
, 5D112BC05
, 5D112FB10
, 5D112FB20
