特許
J-GLOBAL ID：200903058675746854
ドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-299957
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148304
出願日： 1995年11月17日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】 CMP(化学機械研磨)による絶縁膜平坦化を前提とするシャロー・トレンチ・アイソレーション用のトレンチ・エッチングにおいて、研磨停止層とトレンチのドライエッチングを効率化する。【解決手段】 研磨停止層4の上層側はポリシリコン(polySi)膜3、下層側は窒化シリコン(SiN)膜2からなり、後者は通常フッ素系エッチャントを用いてエッチングされる。しかし、5mA/cm2 以上のイオン電流密度が得られる高密度プラズマ装置で塩素系または臭素系のエッチャントを発生させれば、SiNもエッチングすることができ、よって研磨停止層4のエッチングとシリコン基板1へのトレンチ8の形成までの一連のエッチングを、同一チャンバ内で連続的に行うことが可能となる。半導体デバイス製造のスループットの向上、コスト低減につながる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、この上に成膜され下層側から順に窒化シリコン膜とポリシリコン膜とが積層されてなる研磨停止層とを、該研磨停止層上に形成されたエッチング・マスクを介して順次ドライエッチングすることにより該シリコン基板にトレンチを形成するドライエッチング方法であって、前記ポリシリコン膜のエッチング開始から前記シリコン基板のエッチング終了に至るまで該シリコン基板を単一のエッチング装置の同一チャンバ内に保持しながら、塩素系ガスもしくは臭素系ガスの少なくともいずれかを主体とするエッチング・ガスを用いて前記ドライエッチングを行うドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/304 321
, H01L 21/304
H01L 21/302 E
, H01L 21/304 321 B
, H01L 21/304 321 S
