特許
J-GLOBAL ID：200903058682196355
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-147752
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340607
出願日： 1999年05月27日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 従来技術における樹脂注入工程が不要で、これに伴うコストダウンが期待できると共に、電極相互の短絡を確実に防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 配線基板14の電極と対応するLSI11の電極とをはんだバンプ15を介して相互に接続する半導体装置の製造方法は、配線基板14及びLSI11の何れか一方にはんだバンプ15を形成する工程と、他方に複数の円筒孔12を備えた接着シート13を配設する工程と、円筒孔12にはんだバンプ15を嵌合しつつ配線基板14及びLSI11を相互に加熱及び加圧する工程とを有する。
請求項（抜粋）：
配線基板の電極と対応する半導体チップの電極とをはんだバンプを介して相互に接続する半導体装置の製造方法において、前記配線基板及び半導体チップの何れか一方に前記はんだバンプを形成し、他方に複数の嵌合孔を備えた絶縁シートを配設し、前記嵌合孔にはんだバンプを嵌合しつつ前記配線基板及び半導体チップを相互に加熱及び加圧することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (5件)：
5F044KK01
, 5F044KK16
, 5F044LL01
, 5F044LL17
, 5F044QQ01
