レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高松猛 , 矢澤清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-245328
公開番号（公開出願番号）：特開2008-102509
出願日： 2007年09月21日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：

【課題】活性光線又は放射線、特に、KrFエキシマレーザー光、電子線あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、LWR(ラインウイズスラフネス)、疎密依存性の低減を同時に満足し、また溶解コントラストも良好なポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】2級ベンジル酸分解性基を含有するポリマーの分子内もしくは分子間を酸分解性架橋基で架橋した樹脂と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含むことを特徴とするレジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)一般式(1)で表される繰り返し単位を含有し、かつ酸分解性架橋基を含有する樹脂、及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含むことを特徴とするレジスト組成物。

IPC (3件)：

G03F 7/039 , H01L 21/027 , C08F 220/12

FI (3件)：

G03F7/039 601 , H01L21/30 502R , C08F220/12

Fターム (26件)：

2H025AA01 , 2H025AA03 , 2H025AA04 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BF02 , 2H025BF15 , 2H025BF29 , 2H025BG00 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J100AB07P , 4J100AE64R , 4J100AL08Q , 4J100AL66R , 4J100BA10P , 4J100BC43Q , 4J100BC43R , 4J100CA05 , 4J100FA19 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (6件)

米国特許第5561194号明細書
感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-344911 出願人：ジェイエスアール株式会社
感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-344910 出願人：ジェイエスアール株式会社

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