特許
J-GLOBAL ID：200903058715217884
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-045292
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243251
出願日： 1998年02月26日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】【課題】レーザ発光の垂直方向の遠視野像を単峰化することができ、低いしきい値電流密度で低電圧動作する高信頼性GaN系レーザ装置を提供する。【解決手段】本発明のGaN系レーザ装置は、活性層をガイド層で挟み、ガイド層をクラッド層で挟んだ構造において、従来のAlGaNクラッド層の代わりにInGaN又はGaNをクラッド層として用いることにより形成される。光導波路の実効屈折率の値がGaNコンタクト層の屈折率の値に比べて大きくなるようにすれば、遠視野像が単峰化され光ディスク用光源として優れたGaN系レーザ装置を得ることができる。さらに活性層に注入されたキャリアがInGaN又はGaNからなるガイド層にオーバーフローするのを防止するために、活性層とガイド層との間等にAlGaNからなる薄膜障壁層を設ける構造が示される。
請求項（抜粋）：
少なくとも活性層とガイド層とクラッド層とを具備するGaN系化合物半導体からなる半導体レーザ装置において、少なくともIn組成x及びAl組成yのいずれかの値が異なる2種のInx Aly Ga1-x-y N(1≧x≧y≧0、1≧x+y≧0)の層が交互に積層された多量子井戸構造を有する活性層と、Inz Ga1-z N(1>z>0)からなるガイド層と、Inu Alv Ga1-u-v N(1>u≧v≧0、1>u+v>0)からなるクラッド層と、を含むことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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