特許
J-GLOBAL ID:200903058724498187
膜形成方法、積層膜、絶縁膜ならびに半導体用基板
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-307909
公開番号(公開出願番号):特開2003-115485
出願日: 2001年10月03日
公開日(公表日): 2003年04月18日
要約:
【要約】【課題】 積層された膜に関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおいてCVD法で形成される塗膜との密着性に優れた半導体用積層膜に関する。【解決手段】 (A)基板に、紫外線照射処理、酸素プラズマ処理、窒素プラズマ処理、ヘリウムプラズマ処理、アルゴンプラズマ処理、水素プラズマ処理、アンモニアプラズマ処理から選ばれる少なくとも1種の処理を行った後、(B)ポリシロキサンならびに有機溶剤を含む膜形成用組成物を塗布し、加熱することを特徴とする膜形成方法。
請求項(抜粋):
(A)基板に、紫外線照射処理、酸素プラズマ処理、窒素プラズマ処理、ヘリウムプラズマ処理、アルゴンプラズマ処理、水素プラズマ処理、アンモニアプラズマ処理から選ばれる少なくとも1種の処理を行った後、(B)下記一般式(1)〜(4)で表される化合物からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物および該化合物を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合もしくはいずれか一方ならびに有機溶剤を含む膜形成用組成物を塗布し、加熱することを特徴とする膜形成方法。HSi(OR1 )3 ・・・・・(1)(式中、R1 は1価の有機基を示す。)Ra Si(OR2)4-a ・・・・・(2)(式中、Rはフッ素原子または1価の有機基、R2は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR3)4 ・・・・・(3)(式中、R3は1価の有機基を示す。) R4b (R5O)3-b Si-(R8)d -Si(OR6)3-c R7c ・・・(4)〔式中、R4〜R7は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の整数、R8は酸素原子、フェニレン基または-(CH2)n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕
IPC (5件):
H01L 21/316
, C09D183/02
, C09D183/04
, C09D183/14
, B32B 27/00 101
FI (5件):
H01L 21/316 G
, C09D183/02
, C09D183/04
, C09D183/14
, B32B 27/00 101
Fターム (38件):
4F100AB11A
, 4F100AK52B
, 4F100AT00A
, 4F100BA02
, 4F100EH462
, 4F100EH66A
, 4F100EJ012
, 4F100EJ102
, 4F100EJ422
, 4F100EJ541
, 4F100EJ611
, 4F100GB43
, 4F100JG04
, 4J038DL021
, 4J038DL022
, 4J038DL031
, 4J038DL032
, 4J038DL051
, 4J038DL052
, 4J038DL061
, 4J038DL062
, 4J038KA04
, 4J038KA06
, 4J038PA19
, 4J038PB09
, 4J038PC03
, 5F058BA10
, 5F058BC02
, 5F058BC05
, 5F058BD01
, 5F058BD04
, 5F058BD07
, 5F058BD10
, 5F058BD15
, 5F058BD18
, 5F058BE04
, 5F058BE10
, 5F058BF02
引用特許:
審査官引用 (7件)
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特開平4-014224
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特開平4-365355
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SOG塗布装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-023460
出願人:株式会社日立製作所
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