特許
J-GLOBAL ID：200903058726699090
半導体パッケージとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-216168
公開番号（公開出願番号）：特開2007-035865
出願日： 2005年07月26日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：
【課題】リードフレームを用いたスタック型半導体パッケージにおいて、上段側半導体素子へのボンディングに起因する不良発生を抑制することによって、半導体素子の薄型化、ひいてはパッケージ自体の薄型化を実現する。【解決手段】半導体パッケージ1は、素子マウント部3とリード部4とを有するリードフレーム2を具備する。素子マウント部3の少なくとも第1の主面3a上には、第1の半導体素子5と第2の半導体素子9とが順に積層されて搭載されている。第1の半導体素子5と第2の半導体素子9との間には、第2の接着層10として機能する絶縁性樹脂層が充填されている。第1の半導体素子5に接続された第1のボンディングワイヤ8の素子接続側端部は絶縁性樹脂層10内に埋め込まれている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
素子マウント部とリード部とを有するリードフレームと、
前記素子マウント部の表面側の第1の主面上に接着され、前記リード部と第1のボンディングワイヤを介して接続された第1の半導体素子と、
前記第1の半導体素子上に絶縁性樹脂層を介して接着され、前記リード部と第2のボンディングワイヤを介して接続された第2の半導体素子とを具備し、
前記第1のボンディングワイヤの前記第1の半導体素子との接続側端部は、前記絶縁性樹脂層内に埋め込まれていることを特徴とする半導体パッケージ。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
