特許
J-GLOBAL ID：200903029752274928

半導体装置およびその製造方法

発明者：
福井 靖樹

福井 靖樹 について

, 
並井 厚也

並井 厚也 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-016420
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222913
出願日： 2001年01月24日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：
【要約】【課題】 基板上に複数個の半導体チップが積層されている半導体装置の絶縁性を確実にする。【解決手段】 基板7上には第1半導体チップ1および第2半導体チップ2が積層されており、かつ各半導体チップ1・2のそれぞれに設けられている電極端子21が、第1ボンディングワイヤー3および第2ボンディングワイヤー4により基板7に電気的に接続されている半導体装置であって、第2ボンディングワイヤー4と第1半導体チップ1との間には絶縁層5が形成されている。
請求項（抜粋）：
基板上に複数個の半導体チップが積層されており、かつ半導体チップのそれぞれに設けられている電極端子はボンディングワイヤーにより基板に電気的に接続されている半導体装置であって、ボンディングワイヤーと、該ボンディングワイヤーが接続されている半導体チップの該ボンディングワイヤー側に積層されている半導体チップとの間に絶縁層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/12 501
FI (2件)：
H01L 23/12 501 W ,  H01L 25/08 Z
引用特許：
審査官引用 (4件)
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