特許
J-GLOBAL ID：200903058734165275

半導体装置

発明者：
元田 晴晃

元田 晴晃 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ユニシアオートモティブ

株式会社日立ユニシアオートモティブ について


代理人 (1件)： 広瀬 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-269190
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078093
出願日： 2001年09月05日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：
【要約】【課題】 バスバ電極をベースプレートに半田付けすることにより、電流経路の面積を確保して性能を向上させる。【解決手段】 ベースプレート1には、例えばIGBT、MOSFET等の半導体素子4と、絶縁基板2、金属板3等とを設け、バスバ電極6を半田層8によって接続する。また、バスバ電極6の裏面側には、半田層8が配置される位置でベースプレート1に当接する複数個の突起7を設ける。これにより、ベースプレート1とバスバ電極6との間には、半田付けによって大きな面積の電流経路を確保することができる。また、例えば抵抗加熱装置11を用いてバスバ電極6を半田付けするときには、突起7に電流を集中させて半田材料8′を速やかに加熱、溶融できると共に、溶融した半田材料8′をベースプレート1とバスバ電極6との間の隙間Sに均一な厚さで配置することができる。
請求項（抜粋）：
金属材料により形成されたベースプレートと、該ベースプレートに実装された半導体素子と、金属材料により形成され前記ベースプレートを通じて該半導体素子に電力を供給するため該半導体素子から離れた位置で前記ベースプレートに接続されたバスバ電極とからなる半導体装置において、前記ベースプレートとバスバ電極のうち一方の部材には、前記ベースプレートとバスバ電極とを半田により接続する位置で他方の部材に向けて突出し突出端側が他方の部材に当接する突起を設け、該突起によって前記ベースプレートとバスバ電極との間に形成される隙間に前記半田を収容する構成としたことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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