半導体装置とそのヒートシンク

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-027318
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217363
出願日： 2000年01月31日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】【課題】組立て性に優れ、高信頼性と高熱伝導性を有するヒートシンク,半導体装置、及び、これを用いた電力変換装置あるいは高周波トランジスタ装置の構造を提供する。【解決手段】半導体素子と、信号を入出力する配線と、放熱板とを有する半導体装置において、前記放熱板はCuとCu2O,Al2O3及びSiO2の少なくとも1種の粒子との複合材であり、絶縁基板に接合されている金属層、あるいは半導体素子に接合されている金属層は放熱板と直接接合されている。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、信号を入出力する配線と、金属層が接合された絶縁基板と、放熱板とを有する半導体装置において、前記放熱板と絶縁基板に接合されている金属層は直接接合されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/373 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (2件)：

H01L 23/36 M , H01L 25/04 C

Fターム (11件)：

5F036AA01 , 5F036BA10 , 5F036BA24 , 5F036BA26 , 5F036BB05 , 5F036BB41 , 5F036BC05 , 5F036BC06 , 5F036BD01 , 5F036BD11 , 5F036BD13

引用特許：

審査官引用 (8件)

ヒートシンク付セラミック回路基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-221477 出願人：三菱マテリアル株式会社
電力用半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-217762 出願人：株式会社明電舎
放熱部品
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-252815 出願人：株式会社東芝

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