特許
J-GLOBAL ID：200903058760973762
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷 照一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-274389
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115923
出願日： 1995年10月23日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【課題】 ソース領域の低いオン抵抗とPボディ領域の高耐圧を兼ね備えた縦型半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 縦型トランジスタはゲート電極13及びシリコン酸化膜14の側壁には側壁シリコン酸化膜17aを設けている。そのため、ソース電極19のN+ ソース領域15との接触端とゲート電極端間の距離を所望側壁幅の側壁シリコン酸化膜の幅程度に短くすることができるので、N+ ソース領域の不純物濃度が低くてもオン抵抗を十分小さくすることができる。N+ ソース領域の濃度は、P+ ボディ領域18の濃度より低く、かつPボディ領域16の濃度の10倍程度以上である。そのため、N+ ソース領域の深さが深くなり過ぎることがなく、Pボディ領域に対する寄生バイポーラトランジスタのベース幅が適正な値に保たれ、Pボディ領域でのパンチスルー電圧が高くなり、耐圧を高くすることができる。
請求項（抜粋）：
第1導電型のまたは主表面側が第1導電型で反対面側が第2導電型の2層の半導体基板と、前記主表面上の一部に設けた第1絶縁膜と、同第1絶縁膜上の所定位置に設けた第1電極と、同第1電極上を被覆する第2絶縁膜と、同第1電極及び第2絶縁膜の側壁に設けた側壁絶縁膜と、前記主表面側から半導体基板内に第2導電型の不純物を導入して形成され前記第1電極の下側にまで広がる第1導電領域と、同第1導電領域内に第1導電型の不純物を導入して形成され前記第1電極の下側にまで広がると共に、前記第1導電領域より浅くかつ同第1導電領域の表面濃度より濃度が高い第2導電領域と、同第2導電領域内の一部に第2導電型の不純物を導入して形成され、前記第2導電領域より濃度が高い第3導電領域と、前記主表面側に設けた前記第2導電領域及び第3導電領域に共通の第2電極と、前記半導体基板の主表面の反対面側または主表面の第1電極及び第2電極と離間した位置に設けた第3電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 658 D
, H01L 29/78 652 B
, H01L 29/78 652 D
