特許

J-GLOBAL ID：200903058772141436

単結晶基板およびGaN系LED素子の製造方法

発明者： 金 成珍 ,  中井 輝久 ,  岡川 広明
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-006269
公開番号（公開出願番号）：特開2009-170611
出願日： 2008年01月15日
公開日（公表日）： 2009年07月30日
要約：

【課題】光取り出し効率を高めたGaN系LED素子の製造に好適に用いられる単結晶基板と、その単結晶基板を用いたGaN系LED素子の製造方法を提供すること。【解決手段】GaN系LED素子製造用の単結晶基板は、結晶成長面側に、ウェットエッチングにより形成され、割り溝として利用可能なV溝が形成された領域であるWSラインと、GaN系半導体結晶のエピタキシャル成長層により平坦に埋め込むことが可能な凹凸面に加工された領域であるPSS領域と、前記WSラインと前記PSS領域とに挟まれた未加工領域であるWSスペースと、を有する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

結晶成長面側に、 ウェットエッチングにより形成され、割り溝として利用可能なV溝が形成された領域であるWSラインと、 GaN系半導体結晶のエピタキシャル成長層により平坦に埋め込むことが可能な凹凸面に加工された領域であるPSS領域と、 前記WSラインと前記PSS領域とに挟まれた未加工領域であるWSスペースと、 を有する、GaN系LED素子製造用の単結晶基板。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (12件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体基材及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-068067   出願人：三菱電線工業株式会社
• 国際公開第2005/62392号パンフレット
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-279546   出願人：日亜化学工業株式会社