半導体基材及びその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-068067
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164296
出願日： 2001年03月12日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】マスク層を用いる事に起因する種々の問題を回避し、かつ製造工程の簡略化を図ること。【解決手段】 (a)図に示すように、成長面が凹凸面とされた基板1を用いる。この基板を用いて気相成長した場合、凹凸形状が、横方向成長を抑え、C軸方向の成長を促進する働きとなり、ファセット面形成に可能な素地面となる。従って(b)図に示すように、凸部にはファセット面が形成された結晶が成長し、凹部にも結晶が成長した状態となる。さらに結晶成長を続けると凸部、凹部から成長した膜がつながって、やがて(c)図のように凹凸面を覆い平坦化する。この場合、ファセット面が形成された凸部上部には低転位領域が形成され、作製した膜の高品質化が図れている。

請求項（抜粋）：

基板と該基板上に気相成長された半導体結晶とからなる半導体基材であって、前記基板の結晶成長面が凹凸面とされ、前記半導体結晶は凹部及び/または凸部からファセット構造を形成しながら成長されたものであることを特徴とする半導体基材。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C

Fターム (30件)：

5F041AA04 , 5F041AA21 , 5F041AA42 , 5F041AA44 , 5F041CA03 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD09 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF06 , 5F045AF09 , 5F045AF12 , 5F045AF13 , 5F045BB08 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F045DB09 , 5F045EB15 , 5F045GB11

引用特許：

審査官引用 (11件)

窒化物半導体構造とその製法および発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-216110 出願人：シャープ株式会社
窒化物半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-049906 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体薄膜と半導体素子と半導体装置とこれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-336307 出願人：ソニー株式会社

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