特許
J-GLOBAL ID：200903058798740389
マグネティックシェープメモリー合金
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-091022
公開番号（公開出願番号）：特開2001-279357
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月10日
要約：
【要約】【課題】 結晶変態の際に生じる歪み率および変位量が大きいマグネティックシェープメモリー合金を提供する。【解決手段】 一般式M1<SB>2-X</SB>M2<SB>Y</SB>M3<SB>Z</SB>(ここで、M1はNi,Cuから選ばれる少なくとも1種、M2はMn,Sn,Ti,Sbから選ばれる少なくとも1種、M3はM1およびM2を除き、電気陰性度が1.0以上の元素から選ばれる少なくとも1種からなり、0<X≦0.5、0<Y≦1.5、0<Z≦1.5を満たす)で表され、かつ結晶構造が空間群Fm-3mに属し、外部磁場により形状が変化するマグネティックシェープメモリー合金。
請求項（抜粋）：
下記一般式M1<SB>2-X</SB>M2<SB>Y</SB>M3<SB>Z</SB>(ここで、M1はNi,Cuから選ばれる少なくとも1種、M2はMn,Sn,Ti,Sbから選ばれる少なくとも1種、M3はM1およびM2を除き、電気陰性度が1.0以上の元素から選ばれる少なくとも1種からなり、0<X≦0.5、0<Y≦1.5、0<Z≦1.5を満たす)で表され、かつ結晶構造が空間群Fm-3mに属し、外部磁場により形状が変化することを特徴とするマグネティックシェープメモリー合金。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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