特許

J-GLOBAL ID：200903067027961692

Ni-Mn-Ga系形状記憶合金とその製造方法

発明者： 内山 博昭 ,  山内 清 ,  高木 敏行 ,  三木 寛之 ,  大塚 誠 ,  松本 實
出願人/特許権者： 株式会社トーキン ,  ▲高▼木 敏行
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-089128
公開番号（公開出願番号）：特開2001-279356
出願日： 2000年03月28日
公開日（公表日）： 2001年10月10日
要約：

【要約】【課題】 多結晶体であって、Ni-Mn-Ga系合金の本来的な形状記憶効果を損なわずに脆さの改善を行うことができるNi-Mn-Ga系形状記憶合金とその製造方法とを提供すること。【解決手段】 Ni-Mn-Ga系形状記憶合金は、Ni-Mn-Ga系合金であって、(220)面の結晶配向性を有し、かつ柱状組織ではあるが、実質的に明瞭な結晶粒界を持たない規則的な原子配列を備えている。

請求項（抜粋）：

Ni-Mn-Ga系合金であって、(220)面の結晶配向性を有し、かつ柱状組織ではあるが、実質的に明瞭な結晶粒界を持たない規則的な原子配列を備えていることを特徴とするNi-Mn-Ga系形状記憶合金。

IPC (9件)：

C22C 19/00 ,  C22F 1/10 ,  C23C 14/14 ,  C30B 29/52 ,  C22F 1/00 601 ,  C22F 1/00 630 ,  C22F 1/00 682 ,  C22F 1/00 691 ,  C22K 1:00

FI (9件)：

C22C 19/00 L ,  C22F 1/10 G ,  C23C 14/14 Z ,  C30B 29/52 ,  C22F 1/00 601 ,  C22F 1/00 630 L ,  C22F 1/00 682 ,  C22F 1/00 691 B ,  C22K 1:00

Fターム (12件)：

4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BA08 ,  4G077DA11 ,  4G077FE11 ,  4K029BA25 ,  4K029BB08 ,  4K029BC00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC09 ,  4K029GA01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• NiMnGa合金
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-067046   出願人：株式会社トーキン
• Ti-Ni形状記憶合金薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-230368   出願人：坂本英和, 昭和電線電纜株式会社
• 形状記憶合金薄膜アクチュエータ及びその製造方法、並びに光偏向器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-247225   出願人：オリンパス光学工業株式会社