特許
J-GLOBAL ID：200903058800634419
素子の転写方法、素子保持基板の形成方法、及び素子保持基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-380944
公開番号（公開出願番号）：特開2002-185039
出願日： 2000年12月14日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：
【要約】【課題】工程の増加を招かずに短時間での転写を可能とし、転写の歩留まりも低下しないような素子の転写方法、素子保持基板の製造方法、及び素子保持基板を提供する。【解決手段】 第一基板10と該第一基板10上に形成した発光ダイオード12の界面にエネルギービームを第一基板10を透過しながら選択的に照射して発光ダイオード12を選択的に剥離し、さらに発光ダイオード12を素子保持基板上に形成された素子保持層13に転写した後で、さらに第二基板18に転写する。界面へのエネルギービームの照射によって、素子を簡便に剥離することができる。
請求項（抜粋）：
第一基板と該第一基板上に形成した素子の界面にエネルギービームを該第一基板を透過しながら選択的に照射して該素子を選択的に剥離する工程と、前記選択的に剥離された素子を素子保持基板上に形成された素子保持層に転写する工程と、前記素子保持層に転写された前記素子を第二基板に転写する工程とを有することを特徴とする素子の転写方法。
Fターム (5件)：
5F041CA40
, 5F041CA77
, 5F041DA20
, 5F041DB08
, 5F041FF06
