特許

J-GLOBAL ID：200903058806740075

SOIウエーハの製造方法およびSOIウエーハ

発明者： 阿賀 浩司 ,  阿部 孝夫 ,  降籏 順一郎 ,  三谷 清
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-228688
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049063
出願日： 1998年07月29日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 デバイス工程の歩留まりを向上させるSOIウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】 ボンドウエーハとして、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の成長速度を0.6mm/min以上として引き上げ、含有酸素濃度が16ppma以下のCOPが高密度に存在するシリコン単結晶棒を成長し、該シリコン単結晶棒をシリコンウエーハに加工し、該シリコンウエーハに還元性雰囲気中の熱処理を加えたものを用いるSOIウエーハの製造方法。この方法で製造されたSOIウエーハ。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶からSOI層を形成するボンドウエーハを作製し、該ボンドウエーハと支持基板となるベースウエーハとを酸化膜を介して結合して、その後ボンドウエーハの薄膜化を行うSOIウエーハの製造方法において、前記ボンドウエーハとして、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の成長速度を0.6mm/min以上として引き上げ、含有酸素濃度が16ppma以下のCOPが高密度に存在するシリコン単結晶棒を成長し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコンウエーハに加工し、該シリコンウエーハに還元性雰囲気中の熱処理を加えたものを用いることを特徴とするSOIウエーハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  C30B 29/06

FI (2件)：

H01L 21/02 B ,  C30B 29/06 A

Fターム (10件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BB03 ,  4G077CF00 ,  4G077EB06 ,  4G077EH09 ,  4G077FB05 ,  4G077FE05 ,  4G077FF01 ,  4G077FF07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• SOI基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-020862   出願人：新日本製鐵株式会社
• 貼合せSOIとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-250155   出願人：コマツ電子金属株式会社