特許

J-GLOBAL ID：200903038207828206

SOI基板およびその製造方法

発明者： 浜口 功 ,  碇 敦 ,  松村 篤樹
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-020862
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220019
出願日： 1998年02月02日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】 SOI基板上に形成されたLSIの歩留まりを向上させ、良好な電気特性を実現する、高品質SOI基板とその製造方法を供する。【解決手段】 SOI基板の特徴として、SOI層にああるピット状欠陥の密度が5cm-2以下であることを提言する。そしてSOI構造を形成する前の結晶欠陥密度が1×105cm-3以下であるシリコン単結晶基板にSOI構造を形成することによって、ピット状欠陥を所望の密度以下にすることができる。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板上に埋め込み酸化膜が形成され、前記埋め込み酸化膜上にデバイス形成用のSOI層が形成されたSOI基板において、前記SOI層の表面より観察されるピット状欠陥の密度が5cm-2以下であることを特徴とするSOI基板。

IPC (4件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 21/76 R ,  H01L 21/324 X ,  H01L 27/12 E ,  H01L 21/265 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• SOIウエハ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-195952   出願人：東芝セラミックス株式会社
• 半導体基板およびその処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-349538   出願人：株式会社東芝
• シリコン基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-090709   出願人：新日本製鐵株式会社