特許
J-GLOBAL ID：200903058807915219

窒化アルミニウム質セラミックス、半導体製造用部材および窒化アルミニウム焼結体の製造方法

発明者：
寺谷 直美

寺谷 直美 について

, 
勝田 祐司

勝田 祐司 について


出願人/特許権者：
日本碍子株式会社

日本碍子株式会社 について


代理人 (2件)： 細田 益稔 ,  青木 純雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-324312
公開番号（公開出願番号）：特開2004-175656
出願日： 2003年09月17日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】室温における体積抵抗率が低く、かつサマリウム含有量の比較的に少ない窒化アルミニウム焼結体を提供する。【解決手段】窒化アルミニウム質セラミックスは、窒化アルミニウムを主成分とし、サマリウム含有量が酸化物換算で0.060mol%以下であり、窒化アルミニウム粒子とサマリウム-アルミニウム酸化物相を含み、このサマリウム-アルミニウム酸化物相の長さが7μm以上である。あるいは、窒化アルミニウム質セラミックスは、窒化アルミニウムを主成分とし、サマリウム含有量が酸化物換算で0.060mol%以下であり、窒化アルミニウム粒子とサマリウム-アルミニウム酸化物相を含み、前記窒化アルミニウム粒子の平均粒径が5μm以上である。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
窒化アルミニウムを主成分とし、サマリウム含有量が酸化物換算で0.060mol%以下であり、窒化アルミニウム粒子とサマリウム-アルミニウム酸化物相を含み、このサマリウム-アルミニウム酸化物相の長さが7μm以上であることを特徴とする、窒化アルミニウム質セラミックス。
IPC (2件)：
C04B35/581 ,  H01L21/68
FI (2件)：
C04B35/58 104B ,  H01L21/68 N
Fターム (24件)：
4G001BA08 ,  4G001BA36 ,  4G001BB01 ,  4G001BB36 ,  4G001BC03 ,  4G001BC23 ,  4G001BC42 ,  4G001BC52 ,  4G001BC54 ,  4G001BC55 ,  4G001BD03 ,  4G001BD22 ,  4G001BD38 ,  4G001BE01 ,  4G001BE26 ,  5F031CA02 ,  5F031CA05 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA16 ,  5F031MA28 ,  5F031MA29 ,  5F031MA32 ,  5F031MA33
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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