特許
J-GLOBAL ID：200903058809122160
イオンビーム注入装置および方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 朔生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-223334
公開番号（公開出願番号）：特開2007-059395
出願日： 2006年08月18日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：
【課題】製造コストを下げ製造プロセスを簡略化しても追加の構成要素を必要としないで均一性を改良した高電流イオンビーム発生のための新しいシステム構成を提供すること。【解決手段】本発明は多様な操作様式を有するイオン注入装置を開示する。それはイオン源およびそこからリボン状イオンビームを引き出すための引き出し手段を有する。イオン注入装置は質量スリットを通って基板に描出するため特定の質量対電荷を有するイオンを選択するマグネット分析機を含む。多極レンズがビームの均一性と平行を制御するために提供される。本発明は、第二の経路がエネルギー濾過を、組み入れ減速システムを組み込んだ2経路ビームラインをさらに開示する。本発明は、注入の様式がターゲットの1次元走査から2次元走査に、また単純な経路から減速を有するS状経路に切り替えることができるイオン注入の方法を開示する。【選択図】図5a
請求項（抜粋）：
イオンでターゲットを注入するための装置であって、
イオンビームを生成するイオンソースと、
磁気質量アナライザと、
該イオンビームを通して2つの独立した横断方向で該ターゲットを横断するための手段と、
該イオンビームの形状を制御し、2つの異なる形状のイオンビームのどちらかを自由自在に生じさせるための、該質量アナライザとは無関係の集束手段と、
寸法が該ターゲットの寸法を上回る連続未走査リボンビームであり、単一の方向で該ビームを通して該ターゲットを横断することによって均一な量のイオンを注入するために効果的な第1の形状と、
両方の横断方向の寸法で該ターゲットより実質的に小さい連続未走査ビームであり、二次元パターンで該ビームを通して該ターゲットを横断することによって均一な量のイオンを注入するために効果的な第2の形状と、
を備える装置。
IPC (4件)：
H01J 37/317
, H01J 37/14
, H01J 49/30
, C23C 14/48
H01J37/317 A
, H01J37/14
, H01J49/30
, C23C14/48 B
4K029BD01
, 4K029CA10
, 4K029DE03
, 4K029DE05
, 5C034CC02
, 5C034CC03
, 5C034CD10
, 5C038HH07
