特許
J-GLOBAL ID：200903058840217861
半導体基板の表面層抵抗値の調整方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
奥田 弘之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-077316
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277445
出願日： 1999年03月23日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 従来使用している半導体基板の表面層抵抗値を必要に応じて高くすることができる、半導体基板の表面層抵抗値の調整方法を実現する。【解決手段】 P型シリコン基板14の表面に、N型不純物Pを含んだSiO2膜を形成した後、P型シリコン基板14を加熱して、上記SiO2膜中のPを、PN接合を生成することなく、P型シリコン基板14の表面層中に拡散させる。その後、Pを含んでいたSiO2膜を除去した後、P型シリコン基板14の表面にPを含まないSiO2膜を形成し、さらに当該P型シリコン基板14を加熱する。
請求項（抜粋）：
P型半導体基板の表面に、N型不純物を含んだ酸化膜を形成した後、当該P型半導体基板を加熱して、上記酸化膜中に含まれるN型不純物を、PN接合を生成することなく、上記P型半導体基板の表面層中に拡散させることを特徴とする半導体基板の表面層抵抗値の調整方法。
FI (2件)：
H01L 21/225 Q
, H01L 21/225 R
