特許
J-GLOBAL ID：200903058841697964
スピンバルブ型薄膜素子及びこのスピンバルブ型薄膜素子を用いた薄膜磁気ヘッド
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-243193
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151759
出願日： 1998年07月21日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：
【要約】【課題】 センス電流は、導電層から主に非磁性導電層を中心にして流れるが、センス電流を流すことにより、右ネジの法則によってセンス電流磁界が形成され、このセンス電流磁界が、前記固定磁性層の固定磁化に影響を与えるといった問題がある。【解決手段】 第1の固定磁性層12の磁気モーメントは第2の固定磁性層14の磁気モーメントよりも大きく、前記第1の固定磁性層12の磁気モーメントは図示左方向を向いている。このため第1の固定磁性層12と第2の固定磁性層14の合成磁気モーメントは図示左方向を向いている。このためセンス電流112を図示X方向に流し、紙面に対し右回りのセンス電流磁界を発生させることにより、前記センス電流磁界の方向と、合成磁気モーメントの方向とが一致し、前記第1と第2の固定磁性層の磁化状態の安定性を向上できる。
請求項（抜粋）：
フリー磁性層の上下に積層された非磁性導電層と、一方の前記非磁性導電層の上に形成された上側固定磁性層と、他方の非磁性導電層の下に形成された下側固定磁性層と、上側固定磁性層の上、及び下側固定磁性層の下に形成された反強磁性層とを有し、前記固定磁性層の固定磁化と交叉する方向にセンス電流が流されることにより、前記上側固定磁性層及び下側固定磁性層の固定磁化方向とフリー磁性層の変動磁化との関係によって変化する電気抵抗が検出されるスピンバルブ型薄膜素子において、前記各固定磁性層は、反強磁性層に接する第1の磁性層と、前記第1の磁性層と非磁性中間層を介して重ねられる第2の磁性層の2層で形成されており、前記上側固定磁性層の第1の磁性層の磁気モーメント(飽和磁化Ms・膜厚t)と第2の磁性層の磁気モーメントとの合成磁気モーメント、および、前記下側固定磁性層の第1の磁性層の磁気モーメントと第2の磁性層の磁気モーメントとの合成磁気モーメントが、互いに逆方向を向いていることを特徴とするスピンバルブ型薄膜素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/30
, H01F 10/32
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/30
, H01F 10/32
, G01R 33/06 R
2G017AA01
, 2G017AD55
, 2G017AD65
, 5D034BA02
, 5D034BA05
, 5D034CA06
, 5E049BA12
, 5E049CB02
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (3件)
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