特許
J-GLOBAL ID：200903058848887548

電界効果トランジスタおよび製造方法

発明者：
浅井 周二

浅井 周二 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-133172
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330325
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【目的】 微細ゲート電極の電界効果トランジスタにおいて、ソース抵抗及びゲート抵抗を低減し、かつドレイン耐圧を向上させて高周波特性の向上を図る。【構成】 チャネル層1上にゲート電極5があり、ゲート電極5に対してソース側の側面が接しドレイン側の側面が離れてチャネル層1上にコンタクト層3があり、コンタクト層3上にコンタクト層4があり、この上にソースとドレインのオーム性電極があり、ゲート電極5の上部には接続配線6がある。【効果】薄いコンタクト層3と厚いコンタクト層4に分割し、薄いコンタクト層3をゲート電極5に接触させるため、オーム性電極のコンタクト抵抗とゲート寄生容量で相対する問題がなくなり、両者を同時に改善することができる。
請求項（抜粋）：
チャネル層と、ゲート電極と、下層のコンタクト層と、上層のコンタクト層と、ソース電極及びドレイン電極とを有する電界効果トランジスタであって、チャネル層は半導体基板上に設けられたものであり、ゲート電極は前記チャネル層から立上げられて設けられたものであり、下層のコンタンクト層は、前記チャネル層上に設けられ、一側面が前記ゲート電極に接触し、他側面が前記ゲート電極とは非接触状態に保持されたものであり、上層のコンタクト層は前記下層のコンタクト層上に位置し、前記ゲート電極とは非接触状態に保持されたものであり、ソース電極及びドレイン電極は前記上層のコンタクト層上に設けられたものであることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM