特許

J-GLOBAL ID：200903058853959573

処理装置

発明者： 若森 勤 ,  岩井 裕之 ,  三原 勝彦
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン東北株式会社
代理人 (1件)： 中本 菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-120857
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213446
出願日： 1995年04月21日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】 被処理体の保存環境を積極的に制御して、被処理体への有機物又は重金属からの汚染を防止すると共に、歩留まりの向上を図る。【構成】 半導体ウエハWに所定の処理を施す反応炉20と、複数の半導体ウエハWを収容するキャリア1を収納する収納棚30a,30bと、反応炉20、収納棚30a,30bに対してキャリア1の搬入・搬出を行う搬送手段40とを具備する。収納棚30a,30bと少なくとも搬送手段40の一部を構成する第2の搬送機構42と第3の搬送機構43を大気から遮断すべく密閉室32内に配設する。連通口36を介して密閉室32に連通され、収納棚30a,30bに対して搬入・搬出するキャリア1を仮収納する置換室35を大気と遮断可能に設ける。密閉室32内及び置換室35内にN2ガスを供給可能に形成する。これにより、未処理又は処理済みの半導体ウエハWを不活性ガス雰囲気にて保存することができ、半導体ウエハWへの有機物又は重金属からの汚染を防止することができる。

請求項（抜粋）：

被処理体に所定の処理を施す処理手段と、複数の上記被処理体を収容するキャリアを収納する収納部と、上記処理手段、収納部に対してキャリアの搬入・搬出を行う搬送手段とを具備する処理装置において、上記収納部と少なくとも上記搬送手段の一部を大気から遮断する密閉室を設けると共に、この密閉室に連通され、上記収納部に対して搬入・搬出するキャリアを仮収納する置換室を大気と遮断可能に設け、上記密閉室内及び置換室内に不活性ガスを供給可能に形成してなることを特徴とする処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体製造装置及びそのウェーハカセット棚
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-308177   出願人：国際電気株式会社
• 特開平4-002147
  
• 半導体製造装置及び大気浸入防止方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-225980   出願人：国際電気株式会社
• 特開平4-002147