特許
J-GLOBAL ID：200903058855090566
不揮発性半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-340284
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232454
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、ポスト酸化で形成されるメモリセルの制御ゲート及び浮遊ゲートにおけるバーズビークの形成を抑制し、メモリセルの書き込み及び消去特性の劣化とバラツキを抑制する構造を提供するとともに、こうした構造を簡便に製造できる方法を提供する事である。【解決手段】 不揮発性半導体記憶装置において、半導体基板100上に形成されたゲート絶縁膜層101と、前記ゲート絶縁膜層上に形成された導電性の浮遊ゲート102と、前記浮遊ゲートの上に形成されたインターポリ絶縁膜層103と、前記インターポリ絶縁膜層上に設けられた導電性の制御ゲート104とを備えかつ、前記浮遊ゲートはインターポリ絶縁膜層の上面に酸化抑制不純物を有する事を特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
請求項（抜粋）：
不揮発性半導体記憶装置において、半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜層と、前記ゲート絶縁膜層上に形成された導電性の浮遊ゲートと、前記浮遊ゲートの上に形成されたインターポリ絶縁膜層と、前記インターポリ絶縁膜層上に設けられた導電性の制御ゲートと、ソース及びドレインとして使用する拡散層とを備えかつ、前記浮遊ゲートの上面に酸化抑制不純物を有する事を特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
