不揮発性半導体記憶装置及びその形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-292480
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153808
出願日： 1994年11月28日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】浮遊ゲート電極の結晶粒の成長を抑制し、層間絶縁膜と浮遊ゲート電極との界面の整合性及び浮遊ゲート電極とトンネル酸化膜との界面でのトンネル酸化膜の膜厚の均一性の優れた不揮発性半導体記憶装置を提供する。【構成】第1導電体層14aを、この第1導電体層中に生じ得る結晶を小さくするためにゲルマニウム(Ge)原子の濃度として、最小限1×1021原子/cm3 分だけ含んだポリシリコンとする。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、該半導体基板上に離間して設けられた第1及び第2不純物領域と、該第1及び第2不純物領域間にはチャネル形成予定領域が設けてあり、前記チャネル形成予定領域を含み前記第1及び第2不純物領域の一部にわたる領域の前記半導体基板上に第1絶縁膜、第1導電体層、第2絶縁膜及び第2導電体層を、順次積層してなる不揮発性半導体記憶装置において、前記第1導電体層を、該第1導電体層中に生じ得る結晶径を小さくするためのゲルマニウム(Ge)原子を含むポリシリコンとすることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

引用特許：

審査官引用 (7件)

ゲート電極構造の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-235224 出願人：沖電気工業株式会社
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-274162 出願人：沖電気工業株式会社
特開平4-025176

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