特許
J-GLOBAL ID：200903058906046672
半導体モジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-023667
公開番号（公開出願番号）：特開2008-193779
出願日： 2007年02月02日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：
【課題】3レベルインバータ回路を従来の半導体モジュールを用いて構成すると配線インダクタンスが大きくなり、半導体素子に過大な電圧が印加される。 【解決手段】直流電源のPN間に接続されるIGBTの直列接続回路と、この直列接続回路の直列接続点と直流電源の中性点との間に接続する交流スイッチ素子を一つのパッケージに内蔵することにより、配線インダクタンスの低減と装置の低価格化を実現する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電圧形の3レベルインバータに適用するパワー半導体モジュールにおいて、直流回路の正極端子にコレクタが接続されるダイオードを逆並列接続した第1のIGBTと、直流回路の負極端子にエミッタが接続されるダイオードを逆並列接続した第2のIGBTと、第1のIGBTのエミッタと第2のIGBTのコレクタとの接続点と直流回路の正極端子と負極端子との間に設けられた中性点端子との間に接続される半導体交流スイッチとを、一つのパッケージ内に収納したことを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5H007AA06
, 5H007CA01
, 5H007CB04
, 5H007CB05
, 5H007CC07
, 5H007CC13
, 5H007CC14
, 5H007CC23
, 5H007HA03
, 5H007HA04
出願人引用 (1件)
-
電力変換装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-043147
出願人：株式会社日立製作所
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
