特許
J-GLOBAL ID：200903058933716310
ドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-017685
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210618
出願日： 2000年01月26日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：
【要約】【課題】エッチングストッパとして用いられているSi3 N4 に対して、無限大に近い選択性でSiO2 等絶縁膜を所望の形状に加工する。【解決手段】エッチングガスとして分子中にヨウ素を含むガス(HI,或いはCxHyIzの構成を持つガス)を添加する。ここで、含有量としてはエッチングガス中のヨウ素と炭素の比(I/C)が0.3≦(I/C)≦1.5であるような混合比とする。あるいは、ヨウ素を含むガスの代わりに同じハロゲン元素である塩素或いは臭素を含むガスを用いる。エッチングガス中に含まれるヨウ素、塩素、或いは臭素がSi3 N4 上で低蒸気圧物質を生成することでSi3 N4 エッチングを完全に抑止し、被エッチング材料であるSiO2 やSiOF上では低蒸気圧物質を生成しないため、高エッチングレートを得ることができる。
請求項（抜粋）：
エッチングストッパとしてSi3 N4 を有する半導体デバイス構造の絶縁膜をエッチングするエッチングガスとして分子中にヨウ素を含むガスを添加することを特徴とするドライエッチング方法。但し、含有量としてはエッチングガス中のヨウ素と炭素の比(I/C)が0.3≦(I/C)≦1.5であるような混合比とする。
Fターム (12件)：
5F004AA03
, 5F004BA04
, 5F004DA00
, 5F004DA04
, 5F004DA15
, 5F004DA16
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DA29
, 5F004DB03
, 5F004EB01
, 5F004EB03
