特許
J-GLOBAL ID：200903093293868518

基板処理方法および基板処理装置

発明者：
寒川 誠二

寒川 誠二 について

, 
津田 健一郎

津田 健一郎 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-286824
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340211
出願日： 1998年10月08日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 プラズマ等を用いるエッチングや薄膜堆積などの基板処理において、所望のラジカル・イオンを所望の量だけ生成する。【解決手段】 処理ガスとして、結合力の強いハロゲン原子(Fなど)と、結合力の弱いハロゲン原子(Iなど)の両者を含むガス(CFm In など)を使用し、これを弱い結合は解離するが強い結合は解離しない励起エネルギーを持つ励起手段により励起して処理を行う。励起手段としては電子線照射や光照射などの励起エネルギーの単色化が可能なもの、あるいはUHFプラズマ等の電子エネルギー分布が急峻なピークを持つプラズマが好適である。
請求項（抜粋）：
分子内に少なくとも第1のハロゲン元素と該第1ハロゲン元素よりも原子番号の大きい第2のハロゲン元素を含有するガスを用い、励起手段により前記ガス分子から第2のハロゲン元素を選択的に取り去った活性種を生成し、当該活性種を基板に照射することを特徴とする基板処理方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/08 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46 ,  H01L 21/205
FI (5件)：
H01L 21/302 F ,  C23C 16/08 ,  C23F 4/00 E ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/205
引用特許：
審査官引用 (13件)
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